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艾迈斯半导体推出CMOS全局快门近红外图像传感器CGSS130

2020年01月11日 08:41 ? 次阅读

·艾迈斯半导体推出首款可集成于3D/ASV的高量子效率(QE)NIR传感器,并在CES展会上演示ASV解决方案Seres4

·全新CGSS130传感器能够以极具竞争力的系统成本,实现高性能的支付深度图、脸部识别和AR/VR应用

·整体解决方案(发射、接收、算法软件)有助于移动电子设备厂商加快新品交付速度,并实现更具有竞争力的产品设计

中国,2020年1月10日,全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体(ams AG,瑞士股票交易所股票代码:AMS)今日推出CMOS全局快门近红外(NIR)图像传感器CGSS130,且与艾迈斯半导体于近日推出的3D系统形成完美互补。CGSS130可大幅降低脸部识别、支付认证等3D光学传感应用的功耗,这对于依赖电池供电的便携电子设备而言是至关重要的性能。同时CGSS130还支持更先进的传感器功能。

艾迈斯半导体推出CMOS全局快门近红外图像传感器CGSS130

艾迈斯半导体CGSS130传感器的NIR波段灵敏度是目前市场同类产品的四倍,它能够可靠地检测到3D传感系统中极低功耗IR发射器的反射信号。在脸部识别和其他3D传感应用中,IR发射器会消耗大部分功率,因此制造商使用CGSS130传感器可延长移动设备的电池运行时间。可穿戴设备和其他采用极小电池供电的产品使用该传感器可实现脸部识别功能。灵敏度的提高扩大了在相同功率预算下的测量范围,从而还可实现除了脸部识别之外的其他新应用。

CES展会期间(美国内华达州拉斯维加斯,2020年1月7-10日),艾迈斯半导体在拉斯维加斯威尼斯人酒店30楼236套房展示1.3M像素CGSS130(样品现已开始供货)。

ams图像传感器解决方案事业部(ISS)高级副总裁兼总经理Stephane Curral表示:“继去年艾迈斯半导体宣布与SmartSens Technology合作之后,我们非常高兴地宣布推出首款3D主动立体视觉(ASV)参考设计,该设计采用了CGSS130电压式NIR增强型全局快门图像传感器。1.3MP堆叠式BSI传感器在940nm时可实现最高量子效率,非常适合应用于依赖电池供电的电子设备系统中。通过提供3D系统的所有主要组件(发射、接收、算法软件),艾迈斯半导体能够以极具竞争力的成本实现出色的系统性能,同时还有助于客户缩短产品上市时间。”

扩展艾迈斯半导体的3D传感产品组合

艾迈斯半导体与全球高性能CMOS成像传感器供应商SmartSens Technology的合作加快了CGSS130的开发进程。

艾迈斯半导体的战略方针是进一步扩展和丰富其适用于所有3D传感技术的产品组合——主动立体视觉(ASV)、飞行时间(ToF)和结构光(SL)——同时缩短产品上市时间,提供更具竞争力的新产品组合。CGSS130的构成正是这一战略的具体体现---涵盖众多广泛应用,如ASV系统、智能、空间扫描、增强现实(AR)和虚拟现实(VR)等其他应用。

NIR图像传感器与艾迈斯半导体现有的移动3D传感产品形成互补:

·NIR VCSEL发射器,包括PMSIL系列激光发射器(如针对ToF)以及Belago系列点投影仪(针对SL或ASV)。

·脸部检测和脸部匹配软件 。

·参考设计可以帮助OEM缩短产品上市时间,同时能够以极具竞争力的总系统成本,实现高性能的支付深度图、脸部识别和AR/VR应用。

实现更高性能的先进技术

CGSS130传感器在NIR波段具有较高的量子效率,在940nm时高达40%,850nm时高达58%。由于采用堆叠式BSI工艺制造CGSS全局快门图像传感器,可实现小尺寸,其中CGSS130芯片只有3.8mm x 4.2mm大小,GS像素大小为2.7um。

该传感器能够以120帧/秒的最大帧率生成1080H × 1280V有效像素阵列的黑白图像。这种高帧率和全局快门操作可生成无虚化或其他运动伪影的清晰图像。

该传感器还具有高动态范围(HDR)模式,可实现超过100dB的动态范围。此外,该传感器还可以实现外部触发、视窗以及水平或垂直镜像等高级功能。

CGSS130样品现已开始供货。

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